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SK海力士宣布开始量产238层4D NAND闪存。该技术于 2022 年 8 月首次发布，代表着 NAND 技术的重大飞跃，并因其制造效率而脱颖而出，与上一代 176 层相比提高了 34%。

简而言之，SK海力士的新型NAND技术由堆叠在238个垂直层中的存储单元组成，可实现更高的存储密度。与 3D NAND 等前代产品相比，它利用 4D 堆叠架构在更小的物理占用空间内增加数据存储。这将允许在 SSD 板上安装更高容量的 NAND 包。采用这种 NAND 的 SSD 尚未发布，但它应该会出现在 SK hynix 和 Solidigm 的下一代企业级和客户端 SSD 中。

除了密度的提高之外，238 层 NAND 闪存预计还将带来卓越的性能提升。数据传输速度达到每秒2.4Gb，较上一代提升50%，读写速度提升约20%。

在与全球主要智能手机制造商成功进行产品兼容性测试后，SK海力士也准备为智能手机供应238层NAND闪存。因此，移动用户可以通过采用这种新型先进 NAND 技术的设备获得增强的用户体验并提高整体性能。

这一进步转化为成本竞争力的提高，有助于进一步将公司定位为半导​​体行业的领跑者。顺便说一句，美光在其信息中非常重视其在“NAND 层战争”中的领导地位。新款 SK 海力士 NAND 再次拉平了竞争环境，两家公司争夺每一个可用百分比的市场份额，锁定了仅次于三星的第二名位置。

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